8 月 19 日,东芯股份在投资者互动平台表示,公司 19nm 先进制程的 NAND Flash 产品已完成了首轮流片,目前正在产品调试的过程中。
东芯股份称,公司在更新工艺方面不断钻研,从 38nm、24nm,再到现在正在开发的 19nm 的工艺。通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。
关于 3DNAND 芯片的研发,东芯股份透露,公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,暂不涉及 3DNAND 业务。
车规级芯片方面,东芯股份表示,车规级存储器产品对产品各项指标都有更高的要求,因此产品认证及导入时间较长,目前相关产品正在积极研发和导入过程中。