我国第三代半导体将全面爆发：去美化、国产替

随着5G、新能源车的快速发展,我国第三代半导体也正面全面爆发。据第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露,双循环模式推动国产化替代,2020年中国SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。市场规模扩大,5G加速推进GaN射频应用迅猛增长,2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元;新能源汽车及消费电子成为突破口,2020年中国电力电子器件应用市场规模58.2亿元。吴玲建议,探索构建第三代半导体产业创新生态,摸索“平台+孵化器+基金+基地”以及大中小企业融通发展的新模式,加强精准的国际与区域深度合作,共同努力使全链条进入世界先进行列。需要注意的是,氮化镓的应用范围不只在快充、智能手机等消费类电子领域,还有数据中心、柔性供电等工业领域,以及自动驾驶、车载充电机等汽车领域。如,低压氮化镓可应用于新一代大数据中心,以减少占地、提高功率、降低能耗。第三代半导体另一个重要产品碳化硅,则将受益于电动汽车行业的快速成长而迎来爆发机会。