从入门到放弃，芯片的详细制造流程！

今天，我们继续往下讲，说说芯片（晶粒）的制作流程。

这个环节，是芯片制造过程中最难的部分。我尽量讲得通俗易懂一些，也希望大家能耐心看完。

氧化

首先，在切割和抛光后的晶圆上，我们要先做一层氧化。

氧化的目的，是在脆弱的晶圆表面，形成一层保护膜（氧化层）。氧化层可以防止晶圆受到化学杂质、漏电流和刻蚀等影响。

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氧化的工艺，包括热氧化法、等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、电化学阳极氧化等。

其中，最常用的是热氧化法，即在800~1200°C的高温下，形成一层薄而均匀的二氧化硅层。

根据氧化时所使用的气体，氧化也分为干法氧化和湿法氧化。

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干法氧化，通过输入纯氧，使其在晶圆表面流动，从硅进行反应，形成二氧化硅层。湿法氧化，是同时使用氧气和高溶解度的水蒸气。

干法氧化的速度慢，但形成的氧化层很薄，而且致密。湿法氧化的速度快，但保护层相对较厚，且密度较低。

目前，干法氧化是半导体制造中的主流技术。湿法氧化更多用于非关键层或特定厚膜需求场景。

光刻（涂胶、前烘、曝光、后烘、显影）

接下来，终于到了最最最重要的环节——光刻。

我们这几年一直耿耿于怀被“卡脖子”的光刻机，就和这个环节有关。

所谓“光刻”，其实简单来说，就是像印刷机一样，把芯片电路图给“刻”在晶圆上。

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光刻可以分为涂胶、曝光、显影三个主要步骤。我们逐一来看。

首先，是涂胶。

这个胶，叫做光刻胶，有时候也叫光阻，是一种光敏材料。

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光刻胶有两种类型：正胶和负胶。

正胶，被特定的光束照射（曝光）之后，分子结构会发生变化，变得容易溶解。负胶，恰好相反，被照射之后，会变得难以溶解。大部分情况，用正胶。

涂胶时，先让晶圆在1000~5000RPM的速度下旋转。然后，将光刻胶少量倒在晶圆的中心。光刻胶会因为离心力的作用，逐渐扩散到整个晶圆的表面，形成一层1到200微米厚的均匀涂层。

涂胶

值得一提的是，光刻胶也是一个技术含量很高的材料。国内使用的大部分光刻胶都来自日本。

涂胶完成后，会对晶圆进行软烤加热，让光刻胶稍微固化一些。这个步骤叫“前烘”。

接着，该光刻机登场了，要进行曝光。