第八代BiCS FLASH厉害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。

为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制，铠侠通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡，所开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）和3.6Gbps接口速度，给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。

技术永远不是一蹴而就，在第八代BiCS FLASH突破限制背后是铠侠对技术的不断创新和积累，在第八代BiCS FLASH已经发布的此刻，不妨让我们一起看看第八代BiCS FLASH厉害在哪里。

摆脱高层数的桎梏

与许多芯片制造商宣传的工艺制程，不再代表晶体管之间的实际距离类似，NAND堆叠的层数其实也不再是唯一影响存储容量与占用空间之间的关系。在单位空间内想尽办法装入更多的存储单元，打造高密度的存储设备，提升存储密度才是最终的目的。

在闪存技术由2D转向3D的过程中，铠侠深刻感受了这一点，虽然通过布线的微细化，提高了每枚硅模的存储容量和存储密度，但当布线宽度达到15nm的时候，设计团队发现微观世界下，更多问题浮出水面，比如各层晶圆制作需要更薄，而且进行堆叠会使得晶圆高度有所增高，而为了形成存储单元，则需要加工出极深且极细的孔，这就不可避免的需要导入最先进的设备，而这将花费庞大的成本。

因此单纯的提升堆叠层数可以在一定程度上解决存储密度的问题，但不是提升存储密度的唯一解，在成本可控的前提下实现高密度、高性能存储成了重要的问题之一，对存储通孔深度、平面方向设计、工艺等各种要素进行优化，横向压缩密度，进而开发出成本与性能都能达到平衡的产品。218层的第八代BiCS FLASH正是在这样的前提下诞生的。

第八代BiCS FLASH所采用的CBA（CMOS directly Bonded to Array）

两片晶圆，合二为一

第八代BiCS FLASH首先遇到的问题是CMOS电路和存储单元的晶圆需要不同的温度进行处理，CMOS在高温处理中会遇到晶体管特性恶化的问题，而存储单元制造则需要高温处理来实现对应的特性。如何处理CMOS和存储单元不同温度的需求，工程师给出的最终解决方案便是CBA（CMOS directly Bonded to Array）架构。

CBA与以往单个晶圆制造CMOS逻辑电路与存储单元完全不同，而是分成了两片分别制造，然后再进行翻转后贴在一起，从而实现不同工艺都可以发挥更大优势，也可以进一步压缩生产时间。