一文看懂芯片的封装工艺（传统封装篇）

今天这期，小枣君重点来聊聊封装的具体工艺流程。

之前介绍了，封装有很多种形式，包括传统封装和先进封装。

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不同的封装，流程和工艺不一样。我整个写完之后，发现字数太多（1万多字）。为了降低阅读难度，我决定拆成两篇（传统封装篇、先进封装篇）来发。

今天先发的，是传统封装篇。

传统封装的工艺流程

传统封装，大致流程是这样的：

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我们一个个来看。

• 减薄

传统封装的第一步，是对晶圆进行减薄（）——通过研磨晶圆背面的方式，减少晶圆的厚度（从原始的600–800μm减薄到几十至一百μm，甚至更薄）。

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减薄的目的主要有三个：

一是减小芯片的尺寸，满足封装的要求。

二是获得更好的散热效果。

三是提升电学性能，降低寄生效应（芯片过厚会增加寄生电容和信号传输延迟）和导通电阻。

减薄也需要注意，避免影响晶圆的机械强度，否则可能导致晶圆在后面的工艺中发生破裂。另外，减薄过程中产生的热应力，也可能导致晶圆弯曲、报废。

目前减薄所采用的工艺，就是晶圆制造那期说的CMP机械化学研磨那些。

减薄ing

• 切割（划片、锯切、划裂）

减薄之后，要开始正式切割（Dicing）了。

切割前，在晶圆的正面覆盖一层保护蓝膜，以防止在切割过程中晶粒受损。

晶圆非常脆弱。随着时间的推移，芯片的精密度越来越高，晶圆上芯片的间隙越来越小，对切割技术的要求也就随之增加。

早期常用的切割方式，是机械切割。通过高速旋转的超薄金刚石刀片，沿着晶圆上预先设定的沟槽（即晶圆划线），就可以完成切割。

切割过程中，会用纯水冲洗，进行冷却，同时去除碎屑。

机械切割比较简单、成本较低，但是，切割精度不高、速度慢、容易出现崩边等问题，所以，逐渐被淘汰。

后来，就有了激光切割，也就是通过高能量激光束进行切割。

激光切割也分为全切和隐切两种。

全切：激光束直接照射在晶圆表面，贯穿整个晶圆厚度，完全切断晶圆。这种方法切割速率极快，但会产生碎屑和热量，需要进行清理和冷却。

隐切：分为两步，首先使用激光束聚焦于晶圆的内部，在晶圆内部形成微细的裂纹，而表面保持完整。然后，通过机械手段，均匀拉伸贴在晶圆背后的胶带。随着胶带的扩展，晶圆上的单个芯片沿着激光预切割的路径分离开来，完成切割。